Samsung Electronics Co., Ltd je najavio da je uspeo da osvoji tehnologiju proizvodnje brže verzije OneNAND flash memorije, istovremeno joj udvostručivši kapacitet. Nova varijanta OneNAND flash memorije poseduje kapacitet od 2 GB (duplo više od ranije maksimalnih 1 GB) i izrađuje se u 60-nanometarskoj proizvodnji. Pored toga, drastično je ubrzana brzina upisa podataka - brzina upisa se popela sa 9.3 MB u sekundi na 17 MB u sekundi. Brzina čitanja podataka je ostala nepromenjena - 108 MB u sekundi. Procenjuje se da OneNAND tehnologija poseduje ogroman tržišni potencijal, kako zbog svojih specifikacija kojima se izdvaja od ostalih standarda, tako i zbog svojih osobina na polju interkonektivnosti - što se više ovakvih memorija poveže u sistem mogu se postići veće brzine čitanja i pisanja, kao i uvećati kapacitet. Tako se, na primer, brzina upisa može povećavati sa standardnih 17 MB u sekundi za jedan čip do celih 136 MB u sekundi.
Izvor: HKEPC
U saradnji sa bench-market.com
Ovo je arhivirana verzija originalne stranice. Izvinjavamo se ukoliko, usled tehničkih ograničenja,
stranica i njen sadržaj ne odgovaraju originalnoj verziji.
Komentari 0
Pogledaj komentare